आणविक आसवन उपकरण

जांच भेजें

विवरण

तकनीकी मापदंड

परिचय

आणविक आसवन की शर्तों के तहत तरल-तरल जुदाई तकनीक की जाती है। उपयोगिता मॉडल में कम आसवन तापमान, सिस्टम की उच्च वैक्यूम डिग्री, सामग्री के कम ताप समय, उच्च डिग्री के अलगाव और जैसे, और पृथक्करण प्रक्रिया के फायदे हैं। अपरिवर्तनीय है और इसमें कोई उबलने वाली बुदबुदाती घटना नहीं है। यह विशेष रूप से उच्च उबलते बिंदु, गर्मी संवेदनशील और आसानी से ऑक्सीकरण वाले पदार्थों के अलगाव के लिए उपयुक्त है। इसका व्यापक रूप से दवा उद्योग में विटामिन और चीनी हर्बल दवाओं के सक्रिय तत्वों के निष्कर्षण में उपयोग किया गया है। पेट्रोकेमिकल्स, खाद्य उद्योग, सौंदर्य प्रसाधन उद्योग और कृषि।

संरचनात्मक विशेषता

1. स्क्रैपर बाष्पीकरण के आधार पर एक कंडेनसर अंदर डालें। जब फ़ीड मिश्रण को गर्म करने के बाद प्रकाश मिश्रण अणु एक निश्चित दूरी तक चले जाते हैं, तो कंडेनसर एक तरल में संघनित होता है और अलग हो जाता है, और भारी सामग्री दीवार के नीचे बहती है। चूंकि प्रकाश सामग्री वाष्प चरण आंतरिक रूप से संघनित होती है, इसलिए डिवाइस के अंदर उच्च वैक्यूम को बनाए रखने के लिए वैक्यूम दबाव ड्रॉप छोटा होता है।

2. अत्यधिक उच्च वैक्यूम: लघु-पथ आसवन का विशेष संरचनात्मक डिजाइन ऑपरेटिंग दबाव को एक बहुत कम ऑपरेटिंग वैक्यूम तक पहुंचने की अनुमति देता है। उपकरण वैक्यूम के प्रयोगात्मक पैमाने 0.1Pa तक पहुंच सकते हैं, यहां तक कि औद्योगिक पैमाने के उपकरण 1-5Pa तक पहुंच सकते हैं।

3. ऑपरेटिंग तापमान सामग्री के क्वथनांक की तुलना में बहुत कम है: चूंकि लघु-पथ आसवन केंद्रीय संक्षेपण का उपयोग करता है, सामग्री प्रवाह क्रॉस-सेक्शनल क्षेत्र वाष्पीकरण सतह के बराबर है, ताकि केवल बीच में थोड़ा दबाव हो बाष्पीकरण करनेवाला और कंडेनसर, यानी वैक्यूम सिस्टम के अंत में वैक्यूम डिग्री। बाष्पीकरण के निर्वात के करीब। बहुत कम काम के दबाव बेहद कम आसवन तापमान सुनिश्चित करते हैं, इसलिए लघु-पथ आसवन वर्तमान में सबसे हल्का आसवन विधि है ।

आणविक आसवन उपकरण के 4.ractracteristics: मिश्रण की जुदाई का एहसास विभिन्न प्रकार के आणविक एस्केप तरल सतह के अलग-अलग मुक्त पथ के कारण होता है, और इसे पूरी तरह से उबालने की आवश्यकता नहीं होती है, इसलिए सामग्री का वास्तविक वाष्पीकरण तापमान बाष्पीकरणकर्ता खाली की तुलना में थोड़ा कम है। शर्तों के तहत सामग्री का सैद्धांतिक क्वथनांक। यह अनिवार्य रूप से आसवन से अलग है।

5. शॉर्ट-डिस्टल डिस्टिलेशन के पास कम हीटिंग समय होता है: फिल्म को एक ऊर्ध्वाधर खुरचनी का उपयोग करके बनाया गया है, और हीटिंग दीवार पर सामग्री का निवास समय कम है। अन्य आसवन के लिए, हीटिंग का समय आम तौर पर लंबा होता है (30 से अधिक) मिनट या यहां तक कि दसियों घंटे)। शॉर्ट-रेंज डिस्टिलेशन केवल एक दर्जन सेकंड है। छोटी दूरी के आसवन हीटिंग दीवार और कंडेनसर के बीच सख्त दूरी की आवश्यकता के कारण, तरल सतह से निकलने वाले प्रकाश अणु लगभग तुरंत संघनन सतह तक पहुंचते हैं। , और वाष्प चरण प्रकाश अणुओं का हीटिंग समय इस प्रक्रिया में नगण्य है। थर्मल अपघटन की संभावना कम से कम है।

6. उत्कृष्ट मास ट्रांसफर और हीट ट्रांसफर दक्षता: छोटी दूरी की आसवन यांत्रिक स्क्रैपिंग झिल्ली प्रणाली को गोद लेती है, जो अन्य फिल्म बनाने वाले असमानता दोषों से भिन्न होती है जैसे गिरने वाली फिल्म बाष्पीकरण। फिल्म की मोटाई एक समान है और प्रवाह विशेषताओं को संक्षेप में उत्कृष्ट है रेंज बाष्पीकरण करनेवाला। तरल सतह और हीटिंग सतह का लगभग एक ही क्षेत्र है, और बड़े पैमाने पर स्थानांतरण और गर्मी हस्तांतरण दक्षता बेहतर है।